【摘 要】
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室温下,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备具有同质缓冲层的ZnO∶Al（AZO）薄膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针探测仪等对薄膜的结构和光电性能进行了研究。结
【机 构】
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山东大学威海分校空间科学与物理学院
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室温下,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备具有同质缓冲层的ZnO∶Al（AZO）薄膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针探测仪等对薄膜的结构和光电性能进行了研究。结果表明：当薄膜总厚度为400 nm时,制备具有66 nm同质缓冲层的AZO薄膜的方块电阻为26Ω.□–1,与单层AZO（400 nm）薄膜的方块电阻（63Ω.□–1）相比,下降了59%,其在可见光范围内的平均透过率为91%。
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