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报道了分别采用剂量为1×10^16，1×10^17，5×10^17和1×10^18cm^-2的高剂量Ge离子注入，不需退火即可在SiO2中直接形成Ge纳米晶的新现象,采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析。结果表明，高剂量Ge离子注入可在SiO2薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc-Ge)；非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1×10^17cm^-2，离子注入直接形成的nc-Ge内部具有较大压应力，随着注入剂量的提高，nc-Ge的尺