Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性

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通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,利用离子注入方法将Eu^3+离子注入到GaN基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极荧光光谱可得到GaN∶Eu^3+材料在623nm处有很强的红光发射,该发射峰来源于Eu^3+离子的内部4f能级跃迁。另外,Eu^3+离子注入会在样品中引入电荷转移态,产生408nm附近的发光。退火处理有助于获得更强的电荷转移态发光和Eu离子特征发光。GaN基质的黄光峰与Eu离子之间存在能量交换,将能量传递给Eu离子,促进Eu离子
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