【摘 要】
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采用真空蒸发技术在Si（100）基底上制备了CdSe纳米晶薄膜,利用X射线衍射仪（XRD）、膜厚测试仪、原子力显微镜（AFM）方法对不同蒸发电流下制备的薄膜的结晶情况、表面形貌进行分析表征
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采用真空蒸发技术在Si（100）基底上制备了CdSe纳米晶薄膜,利用X射线衍射仪（XRD）、膜厚测试仪、原子力显微镜（AFM）方法对不同蒸发电流下制备的薄膜的结晶情况、表面形貌进行分析表征。结果表明：蒸发电流对CdSe薄膜的结晶性能和表面形貌有显著影响。当蒸发电流为75 A时,CdSe薄膜沿（002）方向的衍射峰相对较强,沿c轴取向择优生长优势明显,薄膜厚度约为160 nm,晶粒尺寸约为40 nm,颗粒均匀;薄膜表面平整光滑,表面粗糙表面粗糙度（5.63 nm）相对较低,薄膜结晶质量较好。
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