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在 4.66e V的激光激发下 ,在室温下 LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光 ,其峰位位置分别为 2 .97,2 .77,2 .55,2 .32 ,2 .1 0和 1 .90 e V的 6个 PL峰 ,建立了可见光发射的能隙态模型 ,讨论了发光机制
LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射
【摘 要】
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在 4.66e V的激光激发下 ,在室温下 LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光 ,其峰位位置分别为 2 .97,2 .77,2 .55,2 .32 ,2 .1 0和 1 .90 e V的 6个 PL峰 ,建立了可见光发射的
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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中国科技大学研究生院院长择优基金
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