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设计了一种基于华虹0.35 mm BCD工艺的新型电流控制CMOS振荡器电路,中心频率为1 MHz,宽温度范围内具有占空比高稳定性。不同于传统电流控制CMOS振荡器拓扑,结构简单,通过反相器阈值电压控制电流对电容的充放电状态切换,消除了延迟时间引起的上冲、下冲问题,具有良好的可移植性。Cadence Spectre仿真结果表明：-45～125℃范围内,振荡频率和占空比相对中心值的上下偏差分别为5.01%（-）到3.31%（＋）、1.95%（-）到1.84%（＋）;方差分别为0.000 9、0.000 1。