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本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.
亚微米LDD MOSFET`s集成电路的优化设计及研制
【摘 要】
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本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.
【机 构】
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陕西微电子学研究所,陕西微电子学研究所陕西临潼710600,陕西临潼710600,陕西临潼710600
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年7期
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