4500V注入增强门极晶体管（IEGT）

来源 :世界产品与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mdtuyen

【摘要】

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<正> 一、前言目前特大功率半导体器件有四大类:一是特大功率SCR(晶闸管),2001年初世界水平为7000V/8000A;二是特大功率GTO(可关断晶闸管),2001年初世界商品水平为6000V/300

【作者】

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翁寿松毛立平

【出处】

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世界产品与技术

【发表日期】

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2002年02期

【关键词】

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开态电压发射极端电流容量门极电压晶体管

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<正> 一、前言目前特大功率半导体器件有四大类:一是特大功率SCR(晶闸管),2001年初世界水平为7000V/8000A;二是特大功率GTO(可关断晶闸管),2001年初世界商品水平为6000V/3000A;三是特大功率IGBT(绝缘栅极双极晶体管),2001年初世界水平为4500V/1800A;四是IGCT,它是一种特殊结构的GTO(如透明阳极,即阳极少子注

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