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根据固体与分子经验电子理论，通过键距差（BLD）方法，计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明，MoSi2理论结合能为1677．1kJ／mol，与实验值吻合。由于Si原子偏移，沿（001）方向分布的Si-Si原子键共价电子数最多，nD=0．40204。MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子，使MoSi2具有良好的导电性。MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。