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采用射频磁控溅射方法制备复合敏感栅MIS二极管H2S气体传感器.具体结构为:敏感栅/SiO2/n-Si/Al,敏感栅薄膜为Ag2O-SnO2、Ag-SnO2或SnO2-Ag-SnO2,在400℃大气中退火2 h以提高稳定性.测试了3种器件在室温到150℃范围内对H2S的敏感特性,三者对H2S都有响应,其中Ag2O-SnO2/SiO2/n-Si/Al MIS二极管对H2S表现出最高的灵敏度和最好的选择性.初步实验结果表明,此复合敏感栅MIS二极管的气敏机理主要是敏感薄膜电阻变化的结果.