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采用脉冲激光沉积技术（PLD）,在MgO单晶基底上,依次沉积氧化钐掺杂的氧化铈（Ce0.8Sm0.2O2-δ,SDC）和钇稳定氧化锆（8 mol%Y2O3：ZrO2,YSZ）制备了五种（SDC/YSZ）N（N=3,5,10,20,30）超晶格电解质薄膜.利用X射线衍射（XRD）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）和交流阻抗对其形貌、相结构和电学性能进行了表征.结果显示,（SDC/YSZ）N超晶格电解质薄膜之间形成了明显的界面和较好的超晶格结构;薄膜表面颗粒生长均匀、致密、平滑,在薄膜的界面处没有元素相互