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本文研究了用于制造非晶硅感光鼓的高阻非晶硅光敏材料，通过微量掺Ｂ、Ｏ，控制ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的ＳｉＨ２和ＳｉＨ基团的组成比，有效地实现了非晶硅材料的高电阻率化，其暗电阻率ρｄ≥１０＾１３Ω·ｃｍ，在可见了光至近红外光范围内，具有很高的单色光电导增益，σｐｈ／σｄ≥１０＾３。分析了ａ－Ｓｉ：Ｈ［Ｂ、Ｏ］材料ＩＲ谱的特征，说明了氧原子和硅－氢基团对微结构的影响及其在支配非晶硅光电性能方面的重要作用。