【摘 要】
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文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀（DRIE）工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比（T（SF6）∶T（C4F8））对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化
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文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀（DRIE）工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比（T（SF6）∶T（C4F8））对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s（C4F8）下电极射频功率为40 W）和11 s/2 s（C4F8下电极射频功率为0 W）的三步刻蚀工艺,贯穿刻蚀了宽度为150μm,深度为300μm的直壁沟槽。其次,研究了C4F8（八氟环丁烷）钝化气体对SiO2薄膜过刻蚀的现象,采用降低C4F8下电极
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