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详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺，制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106／cm2，硅锥曲率半径可做到20nm。更多还原
两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究
【摘 要】
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详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺，制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106／cm2，硅锥曲率半径
【机 构】
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西安交通大学电子工程系!西安,北京电子管厂!北京
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1994年6期
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