SiO2-Si3N4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：doto

【摘要】

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采用高频C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄SiO2膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构Si 3N4膜,两者组成的栅介质膜的陷阱特性(包括陷阱密度、能量和空间分布深度

【作者】

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黄君凯易清明刘伟平钟雨乐张坤

【机构】

：

暨南大学电子工程系

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2003年2期

【关键词】

：

金属-氮化硅-二氧化硅-硅结构存储陷阱分布高频容-压特性

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采用高频C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄SiO2膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构Si 3N4膜,两者组成的栅介质膜的陷阱特性(包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数) .结果表明:在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频C-V理论及其分析方法,可以很好地表征实验曲线,并获取所需的存储陷阱分布参数.

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