1000 Vp-GaN混合阳极AlGaN/GaN二极管

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【摘要】

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GaN材料具有优异的电学特性,如大的禁带宽度（3.4 eV）、高击穿场强（3.3 MV/cm）和高电子迁移率（600 cm2/（V·s））. AlGaN/GaN异质结由于压电极化和自发极化效应,产生高密度（1×10

【作者】

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唐文昕郝荣晖陈扶于国浩张宝顺

【机构】

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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,南京理工大学材料科学与工程学院

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2018年19期

【关键词】

：

ALGAN/GAN 二极管 P-GAN AlGaN/GaNdiodep-GaN

【基金项目】

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国家自然科学基金（批准号：61704185）资助的课题

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GaN材料具有优异的电学特性,如大的禁带宽度（3.4 eV）、高击穿场强（3.3 MV/cm）和高电子迁移率（600 cm2/（V·s））. AlGaN/GaN异质结由于压电极化和自发极化效应,产生高密度（1×10^（13）cm^（-2））和高迁移率（2000 cm2/（V·s））的二维电子气（2DEG）,在未来的功率系统中, AlGaN/GaN二极管具有极大的应用前景.二极管的开启电压和击穿电压是影响其损耗和功率处理能力的关键参数,本文提出了一种新型的具有高阻盖帽层（hig

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