【摘 要】
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通过建立X波段同轴磁控管模型,对起振过程进行PIC模拟,结果表明：当衰减瓷损耗角正切大于0.010时,起振过程中可能受干扰模影响,但均能正常工作;当选用损耗角正切为0.001或不具
【机 构】
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清华大学工程物理系加速器实验室,清华大学粒子技术与辐射成像教育部重点实验室
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通过建立X波段同轴磁控管模型,对起振过程进行PIC模拟,结果表明：当衰减瓷损耗角正切大于0.010时,起振过程中可能受干扰模影响,但均能正常工作;当选用损耗角正切为0.001或不具有衰减性能的材料时,磁控管可能无法正常工作。因此同轴磁控管中需要选用损耗角正切大于0.010的电介质材料。进一步对该磁控管进行冷态微波特性模拟研究,重点分析了磁控管主模、N/2-1干扰模在不同参数衰减瓷下的品质因数,模拟结果表明衰减瓷位置合理,当损耗角正切大于0.010时,对N/2-1模的吸收效果明显改善,验证了PIC模拟的结论
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