ICP-OES检测C5轻烃中硅质量分数的研究

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为了满足生产需求,利用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)建立了检测C5轻质烃中硅质量分数的分析方法.通过对样品处理、氧气流量、雾化室温度、RF功率等一系列试验条件摸索,找出了适合C5轻烃中硅质量分数检测的参数设置:RF功率1250 W,观测方式采用水平或垂直观测,雾化室温度不高于-20℃,推荐选择硅检测波长212.4 nm和288.1 nm,载气流速0.25 L·min-1,氧气流速0.016~0.020 L·min-1.并利用该条件,对馏分范围在C5附近的轻烃进行适应性试验,发现优化后的条件同样适用.
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