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飞思卡尔半导体日前推出专为坚固耐用型应用而设计的首款塑封器件，继续保持在射频功率技术领域的长期领导地位。新款MRFE6VP5150N/GN 和MRFE6VP5300N/GN功率放大器是业界首个驻波比大于 65：1的额定器件，采用模塑封装。
飞思卡尔高级副总裁兼射频部总经理Paul Hart 表示：“飞思卡尔已为蜂窝市场的宏蜂窝基站部署了数百万的塑封射频功率晶体管。我们正将我们的射频功率放大器封装专长扩展到工业应用中。我们的塑封产品组合具有最佳耐用性，全新的MRFE6VP5150和MRFE6VP5300器件是该塑封产品组合的首批成员，也是我们备受欢迎的MRFE6VP61K25系列的延伸。”
相比陶瓷射频封装，塑料封装具有更好的制造性、卓越的热阻抗和显著的成本效益。完美结合塑料封装的优势与传统陶瓷封装器件的坚固耐用性，飞思卡尔在技术领域取得了重大进步，为采用射频功率技术的客户带来诸多好处。
工业环境的严酷众所周知。器件不但要完好无损，而且需要在不同电压和操作条件下最优运行。飞思卡尔全新MRFE6VP5150和MRFE6VP5300器件专为这些严酷环境的发展而设计，具有同步过电压和过驱动，因而大于65：1 VSWR的生存率高，同时提供卓越的系统可靠性和低维护成本。新产品目标应用包括调频广播、CO2医疗应用激光器、用于公共安全无线电设施的VHF和UHF基站。
除了业界领先的坚固耐用性，飞思卡尔全新的MRFE6VP5150和MRFE6VP5300器件能促进整个宽频范围内的高增益，需要的部件更少，并简化了设计复杂性。这两款器件能效高，更易冷却，有利于降低运营费用、缩小规格。
这些新的射频功率LDMOS晶体管能利用较宽的频率范围从1.8到600 MHz。MRFE6VP5150器件能以50 Vdc、 230 MHz、多相位角处理大于 65：1 VSWR的负载失配；能以150 Watts CW运行。此外，这两款器件增强了稳定性并集成了ESD保护电路。
供货与支持
M R F E 6 V P 5 3 0 0现在提供样品，并可批量供货。MRFE6VP5150现在也提供样品，预计将于2014年第三季度批量生产。另外还提供广泛的支持工具，包括用于参考的宽带设备、全球和地区性应用支持，以及必要的模型工具。如需了解更多信息，请联系飞思卡尔销售人员或访问www. freescale.com/RFpower。
飞思卡尔高级副总裁兼射频部总经理Paul Hart 表示：“飞思卡尔已为蜂窝市场的宏蜂窝基站部署了数百万的塑封射频功率晶体管。我们正将我们的射频功率放大器封装专长扩展到工业应用中。我们的塑封产品组合具有最佳耐用性，全新的MRFE6VP5150和MRFE6VP5300器件是该塑封产品组合的首批成员，也是我们备受欢迎的MRFE6VP61K25系列的延伸。”
相比陶瓷射频封装，塑料封装具有更好的制造性、卓越的热阻抗和显著的成本效益。完美结合塑料封装的优势与传统陶瓷封装器件的坚固耐用性，飞思卡尔在技术领域取得了重大进步，为采用射频功率技术的客户带来诸多好处。
工业环境的严酷众所周知。器件不但要完好无损，而且需要在不同电压和操作条件下最优运行。飞思卡尔全新MRFE6VP5150和MRFE6VP5300器件专为这些严酷环境的发展而设计，具有同步过电压和过驱动，因而大于65：1 VSWR的生存率高，同时提供卓越的系统可靠性和低维护成本。新产品目标应用包括调频广播、CO2医疗应用激光器、用于公共安全无线电设施的VHF和UHF基站。
除了业界领先的坚固耐用性，飞思卡尔全新的MRFE6VP5150和MRFE6VP5300器件能促进整个宽频范围内的高增益，需要的部件更少，并简化了设计复杂性。这两款器件能效高，更易冷却，有利于降低运营费用、缩小规格。
这些新的射频功率LDMOS晶体管能利用较宽的频率范围从1.8到600 MHz。MRFE6VP5150器件能以50 Vdc、 230 MHz、多相位角处理大于 65：1 VSWR的负载失配；能以150 Watts CW运行。此外，这两款器件增强了稳定性并集成了ESD保护电路。
供货与支持
M R F E 6 V P 5 3 0 0现在提供样品，并可批量供货。MRFE6VP5150现在也提供样品，预计将于2014年第三季度批量生产。另外还提供广泛的支持工具，包括用于参考的宽带设备、全球和地区性应用支持，以及必要的模型工具。如需了解更多信息，请联系飞思卡尔销售人员或访问www. freescale.com/RFpower。