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宏力半导体宣布成功建立国内首个0.18μm
宏力半导体宣布成功建立国内首个0.18μm
来源 :电子工业专用设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiexia1987623
【摘 要】
:
上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功建立国内首个0.18μm“超低漏电”(Ultra—Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存工艺平
【出 处】
:
电子工业专用设备
【发表日期】
:
2012年7期
【关键词】
:
半导体制造
国内
宏
嵌入式闪存
差异化
漏电
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上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功建立国内首个0.18μm“超低漏电”(Ultra—Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存工艺平台。
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