【摘 要】
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用汽相外延和分子束外延法制作的1.67微米脉冲运转激光器已有报导。用液相外延制作的、能在室温连续运转的1.5~1.7微米激光器也已经实现。但是，当波长大于1.5微米时,In和Ρ的溶液有回融InGaAsP层的倾向。为避免回融，一般须采用非常的生长技术，如使用“抗回融层”,或采用很低的生长温度。本文的目的是报导用通常的金属氯化物-氢化物汽相外延制备的1.5~1.7微米InGaAsP/InP激光器在室温下的连续运转。除了稍微改变一下气流之外，在器件制造过程中没有釆用任何其他的特殊技术。
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用汽相外延和分子束外延法制作的1.67微米脉冲运转激光器已有报导。用液相外延制作的、能在室温连续运转的1.5~1.7微米激光器也已经实现。但是，当波长大于1.5微米时,In和Ρ的溶液有回融InGaAsP层的倾向。为避免回融，一般须采用非常的生长技术，如使用“抗回融层”,或采用很低的生长温度。本文的目的是报导用通常的金属氯化物-氢化物汽相外延制备的1.5~1.7微米InGaAsP/InP激光器在室温下的连续运转。除了稍微改变一下气流之外，在器件制造过程中没有釆用任何其他的特殊技术。
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