【摘 要】
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本文建立了SRAM单元阵列（2×2）的几何结构简化模型、单粒子翻转截面计算模型,利用蒙特卡洛工具包Geant4编写了可视化程序,对能量为1-5MeV的低能段质子在SRAM单元中的输运过
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本文建立了SRAM单元阵列（2×2）的几何结构简化模型、单粒子翻转截面计算模型,利用蒙特卡洛工具包Geant4编写了可视化程序,对能量为1-5MeV的低能段质子在SRAM单元中的输运过程进行了模拟,分析了不同能量的低能段质子在不同特征尺寸的SRAM单元灵敏体积中的沉积能量,并以此为基础,计算了由低能质子引起SRAM阵列的单粒子翻转截面与质子能量的关系。模拟结果表明,沉积能量在1-5MeV能量区间内随能量增大而减小,随特征尺寸增大而增大;单粒子翻转截面在1-5MeV能量区间内随随能量增大而减小,随
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