【摘 要】
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一、什么是掺杂 硅的本征电阻率很高,约为2.3×10~5欧姆·厘米,而大多数的半导体硅器件诸如硅可控整流器,二极管,晶体管,集成电路等都仅需用N型或P型,电阻率低于200欧姆·厘
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一、什么是掺杂 硅的本征电阻率很高,约为2.3×10~5欧姆·厘米,而大多数的半导体硅器件诸如硅可控整流器,二极管,晶体管,集成电路等都仅需用N型或P型,电阻率低于200欧姆·厘米的硅单晶。因此必须采用一定的手段对
First, what is the intrinsic resistivity of doped silicon is very high, about 2.3 × 10 ~ 5 ohm · cm, and most of the semiconductor silicon devices such as silicon controlled rectifiers, diodes, transistors, integrated circuits, etc. only need to use N-type or P-type, single crystal silicon with a resistivity of less than 200 ohm-cm. Therefore, we must adopt certain measures
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