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在电化学阳极氧化法制备的多孔硅（porous silicon，PS）衬底上用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition，PLD）在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示，制备的ZnS薄膜沿β—ZnS（111）方向择优生长，较高的生长温度下，衍射峰强度较大。SEM结果表明，250℃生长的ZnS溥膜表面疏松、不平整，这是由于衬底PS的粗糙结构所致，而350℃生长温度下，尽管薄膜表面出现了一些明显尺寸的晶粒，但总体变得平整致密。室温下的此致发光（PL）谱表明，350℃样品中ZnS