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将Ａｒ（９５％）－ＳＨ４（２．５％）－Ｄ２（２．５％）混合气体等离子体直流正辉区用化学敢相沉淀（ＰＣＶＤ）方法制备α－Ｓｉ：Ｄ／Ｈ薄膜，采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数，红外照相方法测量了反应腔壁温度，结果表明，基片支架对反应腔的等离子体有干扰，反应腔壁温度分布不均匀；基片温度高的区域薄膜沉淀速度大；加大电源功率可提高薄膜沉淀速率。