铌酸锂薄膜调制器的研究进展

来源 :中国光学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lanyezy

【摘要】

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铌酸锂薄膜调制器具有体积小、带宽高、半波电压低的优点,在光纤通讯和光纤传感领域具有重要应用价值,是近年来的研究热点.本文梳理了铌酸锂薄膜调制器的波导结构、耦合结构、电极结构的研究进展,总结了LN薄膜波导的制备工艺,并深入分析了不同结构调制器的性能.基于SOI和LNOI结构,薄膜调制器实现了VπL<2 V?cm,双锥形耦合方案实现了耦合损耗100 GHz.铌酸锂薄膜调制器的性能在大多数方面优于目前商用铌酸锂调制器,随着波导工艺进一步提升,将成为铌酸锂调制器的热门方案.最后对铌酸锂薄膜调制器的发展趋势和应用前

【作者】

：

刘海锋郭宏杰谭满清李智勇

【机构】

：

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 10004

【出处】

：

中国光学

【发表日期】

：

2022年1期

【关键词】

：

铌酸锂薄膜 LNOI 电光调制器

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