刻槽硅衬底上的GaAs／AlGaAs超晶格材料的微...

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guozhizhong8017

【摘要】

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用分子束外延在有刻槽的{001}硅衬底上生长了 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格材料,利用横断面透射电子显微术对非平而异质结的生长行为和微观结构进行了观察.研究结果表明硅

【作者】

：

范缇文梁基本

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1991年7期

【关键词】

：

GAAS/ALGAAS 超晶格材料微结构

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用分子束外延在有刻槽的{001}硅衬底上生长了 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格材料,利用横断面透射电子显微术对非平而异质结的生长行为和微观结构进行了观察.研究结果表明硅衬底上刻槽的几何形状对外延层的微缺陷特性及生长行为有一定影响,和Si{001}晶面相比,Si{113}可能是一个有利于生长半导体异质结的晶面.

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