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高电子迁移率Si/SiGe异质结构:缓解性SiGe缓冲层的影响

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：CayleeDak_83

【作 者】

：

苏世民 

【出 处】

：

半导体情报

【发表日期】

：

1993年05期

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