【摘 要】
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采用砷作为一种 N~+发射极掺杂剂提高微波晶体管的截止频率。对于同样的表面几何形状来说,若采用砷,能获得3.2千兆赫的截止频率;若用磷,截止频率只达680兆赫。据报导,美帝国
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采用砷作为一种 N~+发射极掺杂剂提高微波晶体管的截止频率。对于同样的表面几何形状来说,若采用砷,能获得3.2千兆赫的截止频率;若用磷,截止频率只达680兆赫。据报导,美帝国际商业机器公司的主要改进办法是:采用砷时,放慢扩散速度,这样就能更好地控制基区厚度;其次是扩散分布陡得多。
Arsenic as an N ~ + Emitter Dopant Enhances the Cutoff Frequency of Microwave Transistors. For the same surface geometry, with arsenic, a cutoff frequency of 3.2 gigahertz can be achieved; with phosphorus, the cutoff frequency is only 680 MHz. According to the report, the main improvement measures of the US imperial International Business Machines Corporation are: When arsenic is used, the diffusion rate is slowed so that the thickness of the basement can be better controlled; secondly, the diffusion distribution is much steeper.
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