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利用 TCAD 仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N 沟道 MOSFET 转移特性的影响.构建了0.18μm N 沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总 剂量（total ionizing dose, TID ）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析 了器件浅槽隔离层（shallow trench isolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一