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为了研究蓝宝石/Si O2/Al N/Ga N光阴极组件外延片热应力分布及影响因素,以直径d为φ40 mm的Ga N外延片为研究对象,利用有限元分析法对其表面热应力分布进行了理论计算和仿真,验证了仿真模型的合理性。分析了外延片径向和厚度方向的应力分布,结果显示：在1200℃的生长温度下,径向区域内的热应力分布比较均匀,热应力变化范围为±1.38%;生长温度在400℃到1200℃范围内,外延层表面应力与生长温度呈近似正比关系。分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和Si O2、Al N过渡层厚度对表面热