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将多晶硅片置于HF、N，N-二甲基甲酰胺（DMF）、去离子水的混合溶液中，研究电流密度、腐蚀时间对多晶硅绒面形貌以及表面反射率的影响。实验结果表明，可在多晶硅上获得平均孔径为5～20μm、深为1～3μm的腐蚀坑，其加权反射率达到11.3％，较处理之前降低了60％。
电化学腐蚀多晶硅衬底减反射效果研究
【摘 要】
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将多晶硅片置于HF、N，N-二甲基甲酰胺（DMF）、去离子水的混合溶液中，研究电流密度、腐蚀时间对多晶硅绒面形貌以及表面反射率的影响。实验结果表明，可在多晶硅上获得平均孔径为5～20
【机 构】
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中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所
【出 处】
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太阳能
【发表日期】
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2013年2期
【基金项目】
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国家863高科技研究发展计划资助,项目编号：2011AA050502：国家913重点基础研究计划资助,项目编号：2011CBA00705
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