PED沉积Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜过程中影响超导电性因素分析

来源 :中国科学(G辑:物理学力学天文学) | 被引量 : 1次 | 上传用户：ty532215014

【摘要】

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采用脉冲电子束沉积技术,在SrTiO3衬底上成功制备了高质量的Nd1.85-Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜.通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率,获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品.对样品R-T曲线进行分析,得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律,并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因.通过与脉冲激光沉积技术类比,定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之

【作者】

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郭艳峰陈雷明郭熹李培刚雷鸣唐为华

【机构】

：

浙江理工大学物理系光电材料与器件中心,郑州航空工业管理学院数理系,中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,浙江理工大学物理系,光电材料与器件中心,中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验

【出处】

：

中国科学(G辑:物理学力学天文学)

【发表日期】

：

2007年04期

【关键词】

：

脉冲电子束沉积 Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜超导电性

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