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采用双槽控电位电沉积法在n—Si（111）基体上以NiFe薄膜为缓冲层制备了[Ni80Fe20／Cu／Co／Cu]。自旋阀多层膜，并确定了电沉积的工艺条件．利用X射线衍射（XRD）表征了自旋阀多层膜的超晶格结构，研究了NiFe缓冲层对自旋阀牛长取向的影响．采用四探针法研究了各子层厚度对自旋阀巨磁电阻效应的影响，通过振动样品磁强计（VSM）测试了自旋阀的磁滞回线．自旋阀的巨磁电阻（GMR）值最初随着铜层厚度的变化发生周期性振荡，Cu层厚度为3．6nm时，GMR达到最大值，随后逐渐减小．随着Co层和NiFe层