热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响

来源 :华中科技大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Evilkonata

【摘要】

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以Pb(OOCCH3)2·3H2O,Sc(OOCCH3)3·xH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,用Sol-Gel方法在Pt/Ti/SO2/Si(1 0 0)基片上成功地制备出厚度达1.5 μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)

【作者】

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曾亦可胡勇肖腊连李秀峰

【机构】

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华中科技大学

【出处】

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华中科技大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2005年6期

【关键词】

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铁电薄膜溶胶-凝胶热释电性 ferroelectric thin films Sol-Gel pyroelectric properties

【基金项目】

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国家自然科学基金，国家高技术发展研究计划新材料领域资助，先进制造与自动化技术领域资助

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以Pb(OOCCH3)2·3H2O,Sc(OOCCH3)3·xH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,用Sol-Gel方法在Pt/Ti/SO2/Si(1 0 0)基片上成功地制备出厚度达1.5 μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(2 2 0)主晶向生长的PST薄膜分别在10～20 min、650～800 ℃范围内进行热处理,结果表明:热处理温度在750 ℃时,PST薄膜转变为较为完整的ABO3型钙钛矿晶相结构,更高的温度将提高晶粒在(2 2 0)方向的取向度

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