Zn掺杂制备介电可调PST薄膜

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nmghdw126com

【摘要】

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采用溶胶凝胶工艺，在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0．4Sr0.6Ti0.3（PST）铁电薄膜。XRD结果表明：550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构。

【作者】

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郑赞杜丕一赵冉翁文剑韩高荣

【机构】

：

浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

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稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2008年A01期

【关键词】

：

介电可调 PST薄膜溶胶凝胶 Zn掺杂制备方法 dielectric tunable PST thin film sol-gel Zn doped

【基金项目】

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国家自然科学基金（50372057）,国家自然科学基金重点项目（50332030）

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采用溶胶凝胶工艺，在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0．4Sr0.6Ti0.3（PST）铁电薄膜。XRD结果表明：550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能，研究薄膜的介电可调性与热处理温度及过程的关系。发现550℃条件下制备得到的Zn掺杂PST薄膜几乎没有介电可调性，而在600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜具有明显的介电可调性。另外，600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜，其可调性随着保温时间和冷却时间的延

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