【摘 要】
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High-performance thin film lithium niobate[LN]electro-optic modulators with low cost are in demand.Based on photolithog-raphy and wet etching,we experimentally demonstrate a thin film LN Mach-Zehnder modulator with a 3 dB bandwidth exceed-ing 110 GHz,whic
【机 构】
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State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks,Department of Electronic
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High-performance thin film lithium niobate[LN]electro-optic modulators with low cost are in demand.Based on photolithog-raphy and wet etching,we experimentally demonstrate a thin film LN Mach-Zehnder modulator with a 3 dB bandwidth exceed-ing 110 GHz,which shows the potential of boosting the throughput and reducing cost.The fabricated modulator also exhibits a comparable low half-wave voltage-length product of ～2.37 V· cm,a high extinction ratio of ＞23 dB,and the propagation loss of optical waveguides of ～0.2 dB/cm.Besides,six-level pulse amplitude modulation up to 250 Gb/s is successfully achieved.
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