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采用无机溶胶－凝胶法制备ＶＯ２相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达４￣５个数量级。并用ＸＲＤ、ＤＳＣ和ＴＧＡ法了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构，通过适当的非晶晶化过程及随后Ｖ２Ｏ５→ＶＯ２转变的真空热处理，可获得带有空洞结构的低密度纳米薄膜，从而使电阻（率）突变特性异常优异。
具有纳米结构的VO2相变薄膜
【摘 要】
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采用无机溶胶－凝胶法制备ＶＯ２相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达４￣５个数量级。并用ＸＲＤ、ＤＳＣ和ＴＧＡ法了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构，通过适当的非晶晶化过程及随后Ｖ２Ｏ５→ＶＯ２转变的真空热处
【机 构】
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西北工业大学材料科学与工程学院
【出 处】
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航空学报
【发表日期】
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1997年5期
【基金项目】
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航空科学基金
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