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本文主要报道用低能(8keV)x射线代替钴-60γ射线进行电离辐照的试验结果,并讨论了剂量增强效应与栅氧化层厚度的关系以及相对二次电荷发射系数与偏置电场强度的关系。
低能X射线的剂量增强效应
【摘 要】
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本文主要报道用低能(8keV)x射线代替钴-60γ射线进行电离辐照的试验结果,并讨论了剂量增强效应与栅氧化层厚度的关系以及相对二次电荷发射系数与偏置电场强度的关系。
【机 构】
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骊山微电子学研究所,骊山微电子学研究所陕西临潼,陕西临潼
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年12期
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