【摘 要】
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台湾工业技术研究院Chia-Hung Kuo采用低温研磨和放电等离子烧结方法，制得纳米级晶粒致密PbTe烧结块。当低温研磨6h，然后在573K放电等离子烧结，PbTe块体的塞贝克系数为370μVK＾-1
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台湾工业技术研究院Chia-Hung Kuo采用低温研磨和放电等离子烧结方法，制得纳米级晶粒致密PbTe烧结块。当低温研磨6h，然后在573K放电等离子烧结，PbTe块体的塞贝克系数为370μVK＾-1而当低温研磨时间延长到9h，其他工艺参数相同的情况下，塞贝克系数提高到385μVK＾-1。（取自《Mater．Trans．》，2011，52（4）：787）
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