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本文采用水热法制备了γ-Bi2Sn2O7并研究了其在可见光区的光电响应。Bi2Sn2O7的晶体结构和光电响应特性分别用X射线衍射和表面光电压谱进行表征。研究结果表明,合成的Bi2Sn2O7呈现γ相立方结构,通过吸收光谱估算光学带隙为2.67 e V,比α-Bi2O3（2.85 e V）的光学带隙小。Bi2Sn2O7的光电响应相对于α-Bi2O3在可见光区展现出一定的优势,同时对外加电压有很强的响应。