【摘 要】
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通过激光照射可以在金属氧化物半导体(MOS)结构中实现电阻变化,使用二氧化碳激光照射多壁碳纳米管二氧化硅硅(MWNTs-SiO2-Si)结构,观察电阻随时间变化的瞬态响应.研究表明对
【基金项目】
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上海工程技术大学大学生创新资助项目(CS1721002).
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通过激光照射可以在金属氧化物半导体(MOS)结构中实现电阻变化,使用二氧化碳激光照射多壁碳纳米管二氧化硅硅(MWNTs-SiO2-Si)结构,观察电阻随时间变化的瞬态响应.研究表明对硅片施加正偏压,可以增大器件的电阻值,对硅片施加负偏压,可以减小器件的电阻值.二氧化碳激光的功率越小,电阻达到极值所需的时间越长;反之,二氧化碳激光功率越大,电阻达到极值所需的时间越短.
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