【摘 要】
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利用Ｘ射线衍射仪，对冲击波（压力为９．８ＧＰａ）处理的ＡｌＮ粉体的衍射峰展宽现象进行分析，得到粉体内平均微观应变为２．８５×１０＾－３；相应的位错密度为１０＾１１／ｃｍ＾２；体内储存的缺陷能为０．３６Ｃａｌ／ｇ。研究了以冲击波处理的ＡｌＮ粉体为原料，在
【机 构】
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清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,国防科技大学二系
【基金项目】
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自然科学基金!69391201-2
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利用Ｘ射线衍射仪，对冲击波（压力为９．８ＧＰａ）处理的ＡｌＮ粉体的衍射峰展宽现象进行分析，得到粉体内平均微观应变为２．８５×１０＾－３；相应的位错密度为１０＾１１／ｃｍ＾２；体内储存的缺陷能为０．３６Ｃａｌ／ｇ。研究了以冲击波处理的ＡｌＮ粉体为原料，在添加６ｗｔ％以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂的低温无压烧结过程中，缺陷对低温烧结和热导率的影响。结果表明：冲击波处理ＡｌＮ粉体所致缺陷能，除了可以促进烧结
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