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采用耗尽层近似理论，分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性，并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较。结果表明，在晶界势垒不太高（一般为零点几电子伏）及品界电场强度不太大（约10^6V／m量级）的情况下，TiO2系压敏陶瓷晶界的电子传输机制不同于ZnO系压敏陶瓷，而与SrTiO3系压敏陶瓷的导电机制相似，属于肖特基热电子发射机制。