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氧化亚铜（Cu2O）是一种P型直接带隙半导体，利用基于密度泛函理论的第一性原理计算对铈（Ce）和镧（La）掺杂Cu2O的电子结构和光学性质进行了理论研究。结果表明，掺杂使得半导体由直接带隙转向间接带隙。Ce和La主要表现为施主型浅能级杂质，在导带底部引入了浅能级，能够形成局部p-n结构。这样的电子结构有利于增加光生载流子寿命，有利于光生载流子的分离，从而有利于光催化活性的提高。光学性质计算结果显示，掺杂后半导体在整个太阳光谱范围内，光吸收效果增强。