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采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了性能良好的透明导电ZnO：Al薄膜，并研究了衬底温度和氢气退火对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明，衬底加热可以改善薄膜结晶质量和c轴择优取向，减小内应力，并提高其电学性能。经稀释氢气退火后，500℃沉积的薄膜电阻率由9．4×1014Ω·cm 减小到5．1×10-4Ω·cm ，迁移率由16．4cm2·V-1·s-1增大到23·3cm2·V-1·s-1，载流子浓度由4．1