【摘 要】
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为获得超光滑的反应烧结碳化硅（RB-Si C）材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术对RB-Si C进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体（CF
【机 构】
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西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
【基金项目】
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陕西省科技厅重点实验室项目(2013SZS14-Z02);陕西省教育厅重点实验室科研计划项目(15JS032)
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为获得超光滑的反应烧结碳化硅（RB-Si C）材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术对RB-Si C进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体（CF4/O2）流量比三个因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度.分析了偏压功率这一单因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响规律.结果表明：偏压功率对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度最大,其次为射频功率,刻蚀气体（CF4/O2）流量比对刻蚀速率和表面粗糙度的影响最小;刻蚀最优射频功率为150 W,最优偏压功率为50 W,最优CF4/
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