【摘 要】
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采用热化学气相沉积法(CVD),以乙炔为碳源,在单晶硅上制备了定向碳纳米管薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碳管薄膜及衬底表面形貌.结果表明,以多孔硅为衬底生长的碳纳米
【机 构】
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南昌航空工业学院,北京师范大学,南昌航空工业学院
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采用热化学气相沉积法(CVD),以乙炔为碳源,在单晶硅上制备了定向碳纳米管薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碳管薄膜及衬底表面形貌.结果表明,以多孔硅为衬底生长的碳纳米管管径均匀且离散分布,定向性良好.生长前氨对催化剂膜的预处理具有刻蚀作用,可显著提高碳管的生长密度,从而获得碳纳米管阵列膜.
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