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研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试。实验结果表明,对于低能电子和射线辐照,该探测器都有比较灵敏的电流响应。经过1 Mrad（Si）的射线辐照后,探测器的信号电流没有明显退化;分别经过1 Mrad（Si）的射线和100 Mrad（Si）的1 MeV电子辐照后,0 V和30 V辐照偏压下的探测器的暗电流仅有较轻微的退化。说明了该文研制的探测器具有暗电流低、灵敏度高和抗辐射容限高等优点,可以在强辐射环境中长时间应用。