论文部分内容阅读
化学制绒可在单晶硅表面制备出金字塔陷光织构。针对单晶硅电池表面的金字塔高度对其光电转换效率有着显著影响,通过对单晶硅金字塔织构形貌特征进行分析,采用一种基于滤波、二值化、分割、形态学处理的图像处理技术对化学制绒后单晶硅金字塔织构的高度进行计算,得到了单晶硅金字塔织构的高度分布。检测结果表明,基于图像处理技术对单晶硅金字塔织构的高度计算分析,可以准确地反映金字塔织构的高度分布情况。